EIT4, Bundeswehr University, 85577 Neubiberg, Germany;
noise; silicon; heterojunction bipolar transistor (HBT); device simulation; Langevin Boltzmann equation;
机译:具有电子约束的纳米级器件的时变模拟器的电子注入模型:在比较3D,2D和1D弹道晶体管的固有噪声中的应用
机译:电子和电子-声子相互作用的纳米器件中电流噪声的散射理论
机译:纳米级电子器件中量子散粒噪声的自洽仿真
机译:纳米尺度SI器件中电子噪声的数值模拟
机译:纳米级CMOS器件综合紧凑型噪声建模
机译:接触电阻式随机存取存储设备中的电子传导建模为随机电报噪声
机译:纳米级电子器件中量子散粒噪声的自洽仿真
机译:基于并行平台的纳米隧道设备不稳定性数值模拟