IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Chalmers University of Technology, Department of Physics, S-41296 Goteborg, Sweden;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Chalmers University of Technology, Department of Physics, S-41296 Goteborg, Sweden;
Dept. of Materials, Imperial College of Science, Technology and Medicine, London, UK;
机译:金属有机化学气相沉积法在凸形蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的空间应力分布和光学性能
机译:位错密度和表面形态对在/-蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN量子阱的光学性能的影响
机译:在MOCVD-GaN /蓝宝石模板和氨热GaN种子上生长的HVPE-GaN:结构,光学和电学性质的比较
机译:GaN /蓝宝石的脱位:它们的分布和对应力和光学性质的影响
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:应力及其对si(111),6H-siC(0001)和c面蓝宝石上生长的GaN外延层光学性质的影响