Korea Research Institute of Standards and Science(KRISS), Taejon, Korea;
Dept. of physics, Yeungnam Univ., Keyngsan, Korea;
Korea Research Institute of Standards and Science(KRISS), Taejon, Korea;
Korea Research Institute of Standards and Science(KRISS), Taejon, Korea;
Korea Research Institute of Standards and Science(KRISS), Taejon, Korea;
Dept. of physics, Yeungnam Univ., Keyngsan, Korea;
机译:MOCVD中的各向异性光学声子掺杂GaN / Sapphire癫痫仪中
机译:通过MOCVD生长的邻近蓝宝石(0001)衬底上的GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的表征
机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层
机译:MOCVD种植(00.1)蓝宝石的Si-掺杂Ga的表征
机译:通过蓝宝石上的金属有机气相沉积(MOCVD)生长的N型氮化镓的电学表征。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过MOCVD表征GaN /蓝宝石衬底上生长的AlInN层