Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki 54124, Thessaloniki, Greece;
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki 54124, Thessaloniki, Greece;
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki 54124, Thessaloniki, Greece;
TEM; 3C-SiC; stacking faults; twins; inversion domain boundaries;
机译:关于3C-SiC结构缺陷的一些最新结果
机译:3C-SiC中结构缺陷的电活动
机译:关于3C-SiC结构缺陷的一些最新结果
机译:3C-SiC中结构缺陷的电活动
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:离子照射3C-SIC初级损伤缺陷簇的分布