Department of Electrical Engineering, Yale University, PO Box 208284 New Haven, CT, USA 06520-8284;
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islands; quantum dots; molecular beam epitaxy; 110;
机译:III-V(110)表面上Cs纳米结构的光学各向异性
机译:拉曼光谱法研究III-V半导体的Sb端接(110)表面的表面振动模式-艺术。没有。 075330
机译:混合III-V和III-N层中的自组装纳米结构及其对发射器的影响
机译:在(110)表面上的拉伸应变III-V自组装纳米结构
机译:偏振敏感阴极发光成像和光谱探测的应变III-V薄膜和纳米结构的光学性质
机译:使用凹角纳米结构控制和建模III-V半导体表面的润湿特性
机译:(111)和(110)表面使用拉伸紧张自组装的量子点生长
机译:III-V族化合物半导体(110)表面上的V柱覆盖层的新表面原子结构。