Dept. of Electr. Eng., Nat. Taiwan Univ., Taipei, Taiwan;
机译:在0.18- MU M CMOS技术中,在振荡器反馈中利用多谐振缺陷的接地结构谐振器进行k频段VCO的相位降噪
机译:使用SiGe BiCMOS技术的X波段和K波段低相位噪声VCO
机译:65nm CMOS中的低噪声54GHz变压器耦合正交VCO和76- / 90GHz VCO
机译:K波段低相噪声变压器耦合Colpitts VCO在0.18 - µ M CMOS技术
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:CMOS技术实现的Colpitts VCO的相位噪声分析