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【24h】

Multi-Layer High-K Tunnel Barrier for a Voltage Scaled NAND-Type Flash Cell

机译：电压缩放NAND型闪存单元的多层高K隧道势垒

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《Microelectronics and Electron Devices, 2009. WMED 2009》|2009年|1-3|共3页
会议地点 Boise ID(US);Boise ID(US)
作者
Ramaswamy Nirmal; Yeh Chun-Chen; Krishnamohan Tejas; Gowda Srivardhan; Rocklein Noel; Brewer Rhett; Graettinger Thomas; Min Kyu;
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