机译:异界热阻对堆叠栅极 - 围绕纳米片FET的装置性能的影响
机译:均匀的4堆叠GE0.9SN0.1纳米液相同使用双GE0.95SN0.05盖子通过高度选择性各向同性干蚀刻
机译:鳍状Si / SiGe多层薄膜中的应力,应力和机械弛豫,用于7nm以下纳米片材全栅栅器件技术
机译:SiGe新型干法刻蚀工艺,用于实现高性能逻辑堆叠全能纳米板器件
机译:利用主从总线架构和存储设备来为传感器系统实现高性能,低功耗的日志记录。
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
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机译:用于确定高性能ZnO TFT的欧姆接触的选择性干蚀刻