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【24h】

Elastic Response of 10-nm Insulator Films Measured by Dynamic Indentation for Nano-scale Electron Device Fabrication

机译:通过动态压痕测量的纳米级电子器件制造的动态压痕的弹性响应

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摘要

This work addresses nanoscale measurements of mechanical properties of ultra-thin insulator films by a dynamic indentation atomic force microscopy (DI-AFM). The ability of the DI-AFM is discussed to clarify some challenges in quantitative evaluation of stiffness and elastic modulus of 10 nm films on Ge and S.i.
机译:该工作通过动态凹口原子力显微镜(Di-AFM)解决了超薄绝缘体膜的机械性能的纳米级测量。讨论了Di-AFM的能力以阐明GE和S.I上10nm膜的刚度和弹性模量的定量评估中的一些挑战。

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