イオン照射グラフト重合法及びγ線照射グラフト重合法を用いたイオン交換膜の作製と膜特性評価

摘要

既存のイオン交換膜（IEM）における課題の一つに、イオン交換容量（IEC)の増加に伴い、膜が膨潤しイオン選択透過性が低下する事が挙げられる。そこで本研究では、新規製膜方法として重イオンビーム照射グラフト墓合法を用いてIEMを作製した。本手法では、イオンビームを膜基材に照射し、貫通した高速イオンーつーつの軌跡に沿って形成される潜在飛跡にグラフト重合法で固定荷電基を導入する。直径が数十～数百nmの潜在飛跡に固定荷電基を集積させられることから、膜膨潤の抑制による高いイオン 選択性だけでなく、膜厚方向における高いイオン伝導度も期待できる。また、今回は同じ放射線グラフ ト重合法の一つであるγ線照射グラフト重合法によりIEMを作製し、イオンビーム及びγ線を用いた場 合で膜特性の比較を行った。