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極めて高い電子供与能を有するピラニリデン置換複素芳香族化合物の合成と応用

机译:吡喃基内吡喃基取代的芳族化合物具有极高的电子捐献能力的合成与应用

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摘要

ピラニリデン置換複素芳香族化合物は、高いHOMO 準位を持つ事が報告されている[1]。本研究では、電子供与能の向上を目的として、ピラニリデン基に電子供与性置換基を導入した化合物1a,1b,2a,2b を合成し(図1a)、代表的なn 型高分子半導体材料であるN2200(図1b)に対するドーピング挙動について調べた。
机译:据报道吡喃基内烯取代的复合芳族化合物具有高同性量[1]。在该研究中,合成其中将电子给予取代基引入吡喃基亚基内的化合物1A,1B,2A,2B(图1A),典型的N型聚合物半导体材料是某种N2200的掺杂行为(图。1B)进行了研究。

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