hBNサンドしたTMD原子層における励起子拡散

摘要

二次元半導体、特に遷移金属ダイカルコゲナイド原子層（TMDs）では、強い励起子効果に光学応答が支配され、TMDs の光励起は必ず励起子の生成、拡散および再結合を伴うことになる。このため励起子の拡散はTMDsの光学応答を支配する要因の一つとなる。本研究では、TMDs本来の励起子拡散を調べることを目的とし、基板などに由来する外因性の効果を抑えた構造（TMDsを六方晶窒化ホウ素（hBN）でサンドした構造）の作製と発光イメージングを用いた拡散係数の測定を行った。