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偏光反応性材料の3次元光配向に向けた光渦同軸干渉光の極小集光特性

机译:光涡旋同轴干涉光的偏振光计算特性,用于偏振反应材料的三维光电机取向

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摘要

アゾ色素含有高分子や光架橋性液晶材料等に代表される偏光反応性材料の光配向は、照射する偏光に対 する軸選択的な分子再配列により、光学異方性の空間分布を後天的に制御可能な技術として広く利用されて いる。媒体を透過する光波の振る舞いは屈折率の空間分布に従う為、光配向による光学異方性の3次元制 御は学術面と応用面のいずれの面から見ても大きな意義を持つ。この3次元光配向を実現する可能性の一 つとして、トポロジカル光波を高開口数条件下で集光した際に発生するz 偏光を伴った光電場の利用が考え られる[1]。Z 偏光を伴う光電場の発生は径偏光が最も良く知られた例であるが、実際にはその他のトポロ ジカル光波でも発生することが先行研究で示されており、その空間分布はトポロジカル光波の偏光?位相? 振幅の集光前の空間分布に応じて様々に異なる[1, 2]。そこで本研究では、トポロジカル光波が極小集光場 に形成する光電場の3次元光配向応用の可能性を系統的に明らかにすることを目的とする。今回我々は、そ の中でも光渦同軸干渉光に着目して数値シミュレーションによる電場解析を行ったので報告する。
机译:偏光反应性材料的photolignation表示由含偶氮染料高分子和光交联的液晶材料等的由获取的光学各向异性的空间分布的轴线的偏振被照射选择性分子重排,被广泛用作控制技术。由于通过介质传输的光波的行为遵循折射率的空间分布,光学异向性的由光取向三维控制具有即使从学术表面和所述应用表面的重要意义。为一体的可能性中的一种来实现三维光对准,使用的光的电场与Z-偏振光时的拓扑光波高开口数的条件[1]下收集生成的。虽然以Z偏振photodiaccillates的产生是最知名的直径偏振,它实际上是在现有的研究表明,和拓扑波浪的空间分布Varifly不同变化的空间分布的振幅[1,2前偏振相位的冷凝? ]。因此,在本研究中,它是本发明的一个目的是系统地揭示形成在极性收集字段一个字段photoile的三维光学阵列应用的可能性。这一次,我们通过数值模拟报告电场分析,专注于光涡流同轴干涉光,在他们之中。

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