首页> 外文会议>計算工学講演会 >L字型銅配線におけるエレクトロマイグレーションによるボイド移動のマルチフェーズフィールドシミュレーション
【24h】

L字型銅配線におけるエレクトロマイグレーションによるボイド移動のマルチフェーズフィールドシミュレーション

机译:L形铜线电迁移的空隙迁移的多相场仿真

获取原文

摘要

近年,大規模集積回路(LSI)の高集積化により,LSI内部の素子の配線幅が減少し,配線に印加される電流密度が増大してきた.その結果,配線内で発生するエレクトロマイグレーション(EM)による故障問題が顕在化している.EMは,導体中の原子が導体を通る電子から運動量を受け取ることで移動する現象であり,EMが生じることで配線内には原子が存在しないボイドや,移動した原子が蓄積するヒロックが生じる.ボイドは配線の抵抗の増加や断線を引き起こし,ヒロックは配線を覆う絶縁膜を破壊して短絡を発生させるため,ボイドとヒロックはLSIの故障の原因となる.特にボイドは,EMにより移動や形状変化するため,配線の故障箇所や配線寿命の予測を困難とする要因の一つである.
机译:近年来,大规模集成电路(LSI)的高集成,LSI内部元件的布线宽度降低,并且施加到布线的电流密度增加。结果,在布线中产生的电迁移(EM)引起的故障问题是出现的。 EM是通过从电子从电子中接收来自电子的锻炼量来移动的现象,通过将来自EM发生的电子从电子器中通过,并且在布线中发生原子,并且累积移动原子的Holoc。空隙导致布线和断开的电阻增加,并且河船破坏了覆盖布线以产生短路的绝缘膜,导致LSI的故障。特别地,由于空隙由EM的运动和形状变化,因此是使得难以预测布线的故障和布线寿命的因素之一。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号