(0163)Co_2Fe_xMn_(1-x)Siホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子出力電圧のバイアス電流依存性

摘要

ハーフメタルホイスラー合金を用いた面直通電型磁気抵抗(CPP-GMR)素子は、典型的な3d遷移金属を用いた素子と比較して大きな磁気抵抗変化率（MR 比）が報告されており、次世代の高記録密度ハードディスクドライブ（HDD）の読み取りヘッドへの応用が期待されている[1, 2]。多くの研究の場合、報告されるCPP-GMR 比は低バイアス領域におけるものであるが、HDD 読み取りヘッドに応用される際には出力電圧を確保するために大電流（電流密度 ~ 108 A/cm~2）を印加することが想定されている[3].