机译:退火条件对减压化学气相沉积法沉积在Si上的Ge中的位错密度的影响
机译:等时氢退火对Si上生长的外延Ge膜表面粗糙度和穿线位错密度的影响
机译:使用RPCVD在Si(1 0 0)上沉积低螺纹位错密度Ge
机译:退火条件对RPCVD成长型电气线脱位密度的影响
机译:使用热循环退火在硅片上生长的碲化镉和汞镉碲化镉的脱位密度降低
机译:合成条件对柠檬酸盐-凝胶法制备的退火Sr2FeMoO6-x纳米粉体微观结构和相变的影响
机译:快速热退火对III-V副词在单片硅片的螺纹脱位密度的影响
机译:在si衬底上生长的Gaas /(al,Ga)as超晶格的发光,包含高密度的线程位错:超晶格周期的强烈影响