Doping; Phosphorus atoms; Resistivity; Local silicon materials; NTD;
机译:在MARIA核研究反应堆中使用选择性中子trans变掺杂(SNTD)校正Si晶片的电阻率分布
机译:埃及第二研究堆(ETRR-2)中子trans变掺杂(NTD)设备的参数分析
机译:使用控制棒的用于大直径中子do变掺杂硅的小型核反应堆的设计简化
机译:使用多用途核反应堆(MPR-30)用中子嬗变掺杂(NTD)掺杂局部材料硅晶片电阻率变化的研究(MPR-30)
机译:通过中子trans变掺杂可提高p锗激光器的性能。
机译:掺硼硅中增强的低中子通量敏感性效应
机译:中子嬗变掺杂(NTD)Ge的表征为低 温度传感器开发