机译:勘误表:“透明电阻式随机存取存储器及其非易失性电阻开关的特性”物理来吧93,223505(2008)]
机译:透明阻性随机存取存储器及其非易失性阻变特性
机译:具有隧道势垒的基于Si_3N_4的电阻切换随机存取存储单元的电阻切换特性,适用于高密度集成和低功耗应用
机译:半透明电阻式随机存取存储器的制作及其非易失性电阻开关的特性
机译:两种非易失性记录介质的计算研究:电阻式随机存取存储器(RRAM)和分级磁介质。
机译:HfO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:错误:“透明电阻随机存取存储器及其用于非易失性电阻切换的特性”物理。吧。 93,223505(2008)