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シリコンウエハ研削における研削ヘッドの傾斜制御-研削軸に作用する研削抵抗

机译:硅晶片磨削磨削磨削磨削磨削电阻的坡度控制作用于磨削轴线

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摘要

電子機器の最重要部分である半導体デバイスの製造においては,シリコンウエハが主要な材料である.シリコンウエハの直径は 300mm から450mm へと大口径化が進みつつある.ウエハ表面には極めて高い平坦度が要求され,シリコンインゴットからスライスされ,一般的には研削加工後,研磨加工が施され使用に供される.ウエハの製造時間を短縮するためには,加工能率が低い研磨に要する加工時間を抑制する必要があり,前加工の研削加工による形状精度を向上させることが重要となる.ウエハのインフィード研削加工において,研削砥石と工作物との間に作用する力(研削抵抗)によって,砥石を取付けた研削ヘッドの軸心が傾斜し,形状精度が劣化する.また,研削抵抗は砥石作用面状態によって時々刻々変化する.そこで,本研究では大口径シリコンウエハのインフィード研削加工の形状精度を向上させることを目的とし,研削加工中の研削ヘッドの傾斜を制御する加工法を提案する.まず本報では,研削ヘッド傾斜の要因となる軸心方向に作用する力である垂直研削抵抗について検討した.
机译:在半导体器件的制造中是一种电子装置,硅晶片作为主材料的最重要的部分。晶片正在进展大直径从300mm至450毫米的硅的直径。需要在晶片表面上非常高的平坦度是从硅锭切成切片的,通常在研磨后进行抛光工艺使用。为了缩短晶片生产时间,需要抑制低抛光所需的加工时间加工效率,以提高通过在加工之前进行磨削的形状精度。进给研磨晶片时,力(磨削阻力)的砂轮和工件之间起作用,并且所述轴是倾斜的研磨头装有磨石,形状精度恶化。此外,研磨电阻从磨石工作表面状态的时刻变化。在这项研究中旨在提高进给磨削大直径硅晶片的形状精度,提出一种用于控制在研磨所述研磨头的倾斜的处理方法。在本文中,首先研究了垂直磨力是作用在轴向方向上的力,这使得磨头倾斜。

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