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数値制御プラズマ CVM における高精度·高能率化に関する研究(第2報)減圧 PCVM の走査加工時における加工量制御性の向上

机译:在扫描处理真空PCVM时,高精度高精度和高效率的研究扫描处理时加工量可控性的提高

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摘要

次世代のリソグラフィー技術として期待されているEUVリソグラフィー用のフォトマスクには 25nm 以下の平坦度が求められている.要求される平坦度をラッピングとポリシングのみで達成することは困難であり,なhらかの修正加工が必要である.従来の機械的な手法による修正加工は工具と加工対象物間の相対運動が加工対象物へと転写されるという母性原理に基づいている.したがって,熱や振動などの外乱の影響によって工具と加工対象物の接触状況が変化し,加工特性が変化するため,要求される平坦度を得ることは困難である.そこで,プラズマを用いた非接触加工が注目されている.数値制御プラズマ CVM(NC-PCVM)はプラズマ中で生成した反応活性種と加工物表面問の化学反応を利用した超精密形状創成法である.従来法である大気圧プラズマCVM Atmospheric Pressure PCVM:AP-PCVM)には主として 2 つの課題が存在する.1 つ目は加工レートが小さいことである.我々は合成石英ガラス基板の平坦度を向上させることを目的としているが,現状では 150mm 角程度の大きさの基板を平坦化する際に 2 時間程度要しており,加工の高能率化が求められている.2 つ目は基板端部を加工する際に,アース側である試料台が露出した部分でアーク放電が発生し,安定したグロー放電を維持できないことである.基板中央部と端部で加工特性が異なることで,基板端部の加工精度が悪化してしまう.さらに,アーク放電が発生した部分では基板にダメージが導入されてしまう.加工の高精度化を達成するためには,基板端部においても基板中央部と同様の安定したグロー放電を発生させることが要求される.そこで我々は 1/10 気圧前後の減圧雰囲気下で局在的なプラズマを発生させて加工を行う,減圧プラズマ CVM(Vacuum-PCVM: V-PCVM)を提案した.減圧プラズマは大気圧プラズマと比較して加工能率が高く,安定したグロー放電を維持しやすいというメリットがある一方,ステージを高速で走査させた際に電極位置とプラズマ発生位置にずれが生じるという現象が確認されている.本報では上記のずれが加工精度に与える影響を定量的に評価した結果を報告する.
机译:为25nm平整度或更小所需的光掩模用于EUV光刻期待作为下一代光刻技术。它难以仅与包裹和警务以实现所需的平坦度,并且有必要的修复H或捡查。常规的机械方法变形处理是基于母体原则,即要被处理待处理被转移到物体的工具和物体之间的相对运动。因此,由于干扰等的热或振动的影响,该工具与物体的接触状态将被处理的变化,并且由于加工特性变化,所以难以得到所要求的平坦度。因此,非接触式使用等离子体处理正在引起关注。数控等离子体CVM(NC-PCVM)是使用在等离子体产生的反应性活性种与工件表面的化学反应的超精密形状的创建方法。有在传统的常压等离子体CVM气压PCVM两个主要问题:AP-PCVM。第一个是,处理率是小的。我们的目的是提高合成石英玻璃基板的平面度,但目前,目前,它被要求具有大约150平方毫米的基板和约2小时,并加工的高效率是必需的。这是。第二个是,处理衬底端时,电弧放电在其中样品表,这是接地侧,和稳定的辉光放电不能维持的部分发生。在基板端部的端部的加工精度是由不同的加工特性在所述基板和所述端部的中心劣化。此外,在发生电弧放电的部分,损坏被引入到基板上。为了实现加工的高准确度,需要以产生即使在基板端类似于基板的中央部分稳定的辉光放电。因此,我们提出了一种真空等离子体CVM(真空PCVM)CVM(真空PCVM:V-PCVM)产生之前和之后1/10大气压力的真空气氛下,局部化等离子体。而压力降低等离子体具有高加工效率和易于维持稳定的辉光放电,一种现象,即当阶段以高速扫描发生在电极位置和等离子体产生位置的优点。已被确认。本报告报告的定量评价对加工精度的上述偏差的影响的结果。

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