内部Mg拡散法によって作製された鉄シースMgB_2線材における局所臨界電流特性と組織構造との対応

摘要

超伝導線材の開発に去いては，四端子法によって得られる（値など線材性能と，電子顕微鏡によって観察される組織構造との関係を明かとし，線材作製プロセスへフィードバックしていくことが望まれる。一方，両者間では評価可能な空間スケールが何桁も異なるため，直接の対応関係を明らかとすることは困難となっていた。そこで本研究では，内部Mg拡散法によって作製された鉄シースMgB_2線材を対象に，磁気顕微法によって局所臨界電流分布を評価し，観測すべき位置を高精度に特定した上で組織観察を行うことで，本線材の性能決定因子の解明に取り組hだ。前回はSiCの添加に由来するMg_2Siの析出が局所的に特性を低下させる様子を報告したが［1］，今回はSiCに代わるCドープ法としてC coating したナノサイズのB粉末を使用した線材に対して同様の評価を行い，電流制限因子について比較·検討した。