机译:〜(235)U,〜(238)U,〜(209)Bi和〜(nat)Pb的中子诱发裂变的横截面,相对于n-p散射测量为33-200 MeV
机译:〜(232)Th核在能量范围3.2-17.9 MeV中的中子诱发裂变的延迟中子和部分发射裂变截面的时间特征
机译:〜(58)Ni(n,p)〜(58)Co的反应截面的测量和协方差分析,与中子〜(232)Th和中子诱发的〜(97)Zr裂变产物形成的截面有关〜(238)U在有效中子能E_n = 5.89、10.11和15.87 MeV
机译:中子诱导的裂变横截面为240pu,243am和能量范围内的Natw 1-200 MeV
机译:235U(n,f)的瞬变裂变中子能谱的测量和238U(n,f)的中子诱发裂变截面的测量
机译:蒙特卡洛计算能量范围为50–400 MeV的质子的EBT3和EBT-XD薄膜的质量阻止能力
机译:在1-200 meV的能量范围内,中子引发240pu和243am的裂变截面