机译:Ge预非晶化注入引起应变沟道的pMOSFET的空穴迁移率增强,用于源/漏扩展
机译:高性能n沟道多晶锗薄膜晶体管,通过连续波激光结晶和绿色纳秒激光退火来激活源极和漏极掺杂剂
机译:高性能N沟道多晶锗薄膜晶体管通过连续波激光结晶和绿色纳秒激光退火源和排水掺杂剂活化
机译:氨化对源/漏,通道和多硼化物中硼的活化和失活的影响
机译:对CMOS器件制造过程中硼源极/漏极扩展演化的物理原理和建模的基本了解。
机译:Ca2 +和电压对克隆的Ca(2+)激活K +通道的激活和去激活的不同影响。
机译:非晶化条件对源漏扩展植入物激活测量的影响