スピンクロスオーバー錯体を含有した高分子ミクロスフェアの合成と高スピン/低スピン(HS/LS)相転移付近の挙動 - 乳化剤の効果

摘要

本研究はFe錯体配位子の置換基、金属イオンなどを調節したスピンクロスオーバー鉄錯体を合成し、この錯体を導入しながらトリフルオロエチルメタアクリレート(TFEMA)の乳化重合を保護コロイドとしてポリビニルアルコール(PVA)，乳化剤ラウリル硫酸ナトリウム(SLS)を用いて行い、高分子ミクロスフェアの粒子形成機構と高スピン／低スピン相転移付近の双安定性スピン挙動への影響を明らかにし、スイッチング機能を有する光記憶電子デバイスの構築を目指した。