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【24h】

Impact of Al_2O_3 ALD temperature on Al_2O_3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties

机译：AL_2O_3 ALD温度对AL_2O_3 / GASB金属氧化物半导体界面性能的影响

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We have investigated the impact of the Al_2O_3 atomic-layer-deposition (ALD) temperature on Al_2O_3/GaSb metal-oxide-semiconductor (MOS) interface properties. We have found that the GaSb MOS interfaces are severely degraded with increasing the ALD temperature. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements clarified that the main cause of the interface deterioration is the reduction of Sb oxides from GaSb surfaces.

机译：我们研究了AL_2O_3原子层沉积（ALD）温度对AL_2O_3 / GASB金属氧化物半导体（MOS）界面性质的影响。我们已经发现，随着ALD温度的增加，加气MOS界面严重降低。 X射线光电子体光谱（XPS）测量阐明了界面劣化的主要原因是来自GASB表面的Sb氧化物的减少。

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来源
《IPRM 2013》|2013年||共2页
会议地点
作者
Masafumi Yokoyama; Yuji Asakura; Haruki Yokoyama; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TF843.1-532;
关键词
GaSb; MOS; interface; oxide; capacitor;

机译：gasb;mos;界面;氧化物;电容器;

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