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High Total Dose Proton Irradiation Effects on Silicon NPN rf Power Transistors

机译：硅NPN RF功率晶体管的高总剂量质子辐照效应

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The effects of 3 MeV proton irradiation on the I-V characteristics of NPN rf power transistors were studied in the dose range of 100 Krad to 100 Mrad. The different electrical characteristics like Gummel, current gain and output characteristics were systematically studied before and after irradiation. The recovery in the I-V characteristics of irradiated NPN BJTs were studied by isochronal and isothermal annealing methods.

机译：在100krad的剂量范围为100mrad的情况下，研究了3MeV质子辐射对NPN射频功率晶体管I-V特性的影响。在照射之前和之后，系统地研究了诸如Gummel，电流增益和输出特性的不同电气特性。通过同胞和等温退火方法研究了辐照NPN BJT的I-V的I-V特性的恢复。

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来源
《DAE Solid State Physics Symposium》|2014年||共3页
会议地点
作者
M. N. Bharathi; K. C. Praveen; N. Pushpa; A. P. Gnana Prakash;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 O48-532;
关键词
BJT; proton irradiation; dc current gain; G/R trap centers; isochronal annealing;

机译：BJT;质子辐照;直流电流增益;G / R陷阱中心;等时退火;

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