机译:ISM 2.45 GHz频段高效15 W GaN HEMT功率放大器:设计验证
机译:具有170W输出功率的C波段GaN基场效应晶体管功率放大器
机译:一种基于氮化镓的3-10-GHz倒装芯片集成宽带功率放大器
机译:在GaN QMIC的基础上具有8.5–12.5 GHz频带的15 W输出功率放大器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:采用siC在HEmT器件上的GaN,具有40 dBm饱和输出功率的3.6 GHz Doherty功率放大器