使用SMT封装晶体管的宽带L频段160W GaN功率放大器的设计

摘要

氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。如图1所示,Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50μm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6 x 7.2mm DFN（双边扁平无引脚）封装,与传统的金属陶瓷封装相比,可以实现更简单的PCB组装。