首页> 外文会议>International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices >Enhanced Sheet Carrier Density in ZnO Based Heterostructure by Alloying Cadmium in Buffer Layer ZnO
【24h】

Enhanced Sheet Carrier Density in ZnO Based Heterostructure by Alloying Cadmium in Buffer Layer ZnO

机译:通过在缓冲层ZnO中通过合金化镉的基于ZnO的异质结构增强的纸张载体密度

获取原文

摘要

This abstract reports very high (>10~(14) cm~(-2)) sheet carrier density (n_s) in Zinc Oxide (ZnO) based heterostructure for low Magnesium (Mg) compositions (<0.15) in barrier layer, achieved by alloying Cadmium (Cd) in buffer layer ZnO, grown by Dual Ion Beam Sputtering (DIBS) deposition technique.
机译:该摘要报告了基于氧化锌(ZnO)异质结构的非常高(> 10〜(14)cm〜(-2))片载体密度(N_s),用于低镁(Mg)组合物(<0.15)的阻挡层,实现缓冲层ZnO中的合金化镉(CD),通过双离子束溅射(DIBS)沉积技术生长。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号