イオンビームエッチング用大口径イオンビームの特性

摘要

イオンビームエッチング(IBE)は、希ガスのイオンビームを用いて物理的スパッタでエッチングする手法である。この方法は、どのような材料でもエッチングすることができるため、RIE(Reactive Ion Etching)の適用が難しい材料の加工、特に磁性体メモリー、強誘電メモリー、相変化メモリーといった新規の構造のデバイスの加工への使用例がある。