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遷移金属内包シリコンケージクラスター薄膜の電気伝導特性

机译:过渡金属包容硅笼簇薄膜的电导电特性

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摘要

原子が数個から数百個凝集したナノクラスター (NC) は、バルク物質とは異なる特異な電子・幾何構造を有するナノ物質である。このうち、金属原子1 個を内包したシリコンケージNC (M@Si_(16);Fig. 1) は、16 個のケイ素原子のかご構造内に内包される金属の種類を変えることで幾何構造を保ったまま物性を制御することができる。このM@Si_(16) は太陽電池等のナノデバイスのボトムアップ型の単位として期待されるが、合成収量の低さや酸化されやすいといった課題から集積膜としての物性評価は進められていなかった。本研究では高強度NC イオン源と嫌気一貫システムを用いて、5 族の金属であるタンタル (Ta) 原子を内包したTa@Si_(16) 集積薄膜の電気伝導特性を評価した。
机译:数百个纳米团簇(NC)的原子数是散装物质它是具有不同独特的电子和几何结构的纳米米。这所房子,硅笼NC(M @ Si_(16);图1)含有一个金属原子是16改变硅原子的圆柱内包含的金属类型您可以控制物理属性同时保持结构。这个m @ si_(16)是它预计是纳米纳米型的自下而上单位,如正电池作为诸如低合成产量等问题的附聚薄膜,易于氧化没有物理性质评估未提前。在这项研究中,具有高强度NC离子源使用厌氧集成系统,钽(TA)原子,即部落金属(TA)原子评估封装的Ta @ Si_(16)集成薄膜的电导特性。

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