双层CdS／CdSe光电导薄膜的制作和光电特性

摘要

提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及光谱响应等主要光电特性与初始材料比例、掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例等工艺参数的关系。实验表明：适宜的掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例可使暗电导降低而亮暗电导比提高，响应时间比未掺杂薄膜的显著降低；而光谱响应特性则可以通过控制ＣｄＳ／ＣｄＳｅ之比加以优化。