4H-SiCの順方向劣化現象に対する応力の影響のモデリング

摘要

4H-SiC パワーデバイスの重要な課題である順方向劣化現象の原因であるデバイス動作中の積層欠陥の急速な拡大は， REDG (Recombination enhanced dislocation glide) による転位移動の活性化と，QWA (Quantum well action)による実効的な積層欠陥エネルギーの減少により説明可能であると考えられる 1)．このモデルに基づくと，積層欠陥の拡大/縮小は積層欠陥エネルギー，QWAによるエネルギー低下，および分解せh断応力の大小関係により判定可能である．本研究では，これまで検討が少なかった応力に注目し，積層欠陥拡大の判定基準である臨界少数キャリア密度へ分解せh断応力が与える影響のモデリングを行った．