A sub-nanosecond ISL technology demonstrated in a 400 mil × 400 mil VLSI chip

摘要

style="font-variant: small-caps; font-size: .9em;">First Page of the Article class="img-abs-container" style="width: 95%; border: 1px solid #808080;" src="/xploreAssets/images/absImages/01481414.png" border="0">

著录项

• 来源
  《Electron Devices Meeting, 1980 International》||p.837-837|共1页
• 会议地点
• 作者

  Lamb D.R.; Roberts P.C.T.; Belt R.; Bostick D.; Stevens H.; Pai S.; Burbank D.;

• 作者单位
• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种
• 中图分类
• 关键词