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Electron Devices Meeting, 1980 International
Electron Devices Meeting, 1980 International
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1.
Session 4 Solid state devices—High power FETs
机译:
第四节固态器件-大功率FET
作者:
Lisiak K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
2.
Session 6 Device technology—Contacts and interconnects
机译:
第6节设备技术—接触和互连
作者:
Pickar K.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
3.
Session 7 Electron tubes—Classical microwave tubes
机译:
第七部分电子管-经典微波管
作者:
Lien E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
4.
Session 8 Quantum electronics and energy-conversion devices—Silicon solar cells
机译:
第八节量子电子学和能量转换设备-硅太阳能电池
作者:
Hovel H.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
5.
Session 9 Device technology—Process modeling and characterization
机译:
专题9设备技术-过程建模与表征
作者:
Barnes J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
6.
Session 10 Integrated circuits—CMOS technologies
机译:
第十节集成电路—CMOS技术
作者:
Nielsen R.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
7.
Session 11 Solid state devices—Junction device phenomena
机译:
专题11固态设备—结设备现象
作者:
Muller R.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
8.
Session 14 Quantum electronics and energy conversion devices—Lasers and light emitting diodes
机译:
专题14量子电子学和能量转换设备-激光和发光二极管
作者:
Harris J.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
9.
Session 15 Integrated circuits—Bipolar integrated circuits
机译:
第十五部分集成电路—双极集成电路
作者:
Ning T.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
10.
Session 16 Device technology—Pattern definition
机译:
会议16设备技术—模式定义
作者:
Broydo S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
11.
Session 17 Solid state devices—Compound semiconductor device technology
机译:
专场17固态器件—复合半导体器件技术
作者:
Nathanson H.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
12.
Session 18 Electron tubes—Tube technology
机译:
专场18电子管—管技术
作者:
True R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
13.
Session 19 Detectors, sensors and displays—Detector physics
机译:
第19节检测器,传感器和显示器—检测器物理
作者:
Thom R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
14.
Session 21 Microstructure issues in the 80's
机译:
二十一世纪80年代的微观结构问题
作者:
Tasch A.F. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
15.
Session 22 Device technology—Advanced process and device concepts
机译:
会议22设备技术-高级过程和设备概念
作者:
Marshall S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
16.
Session 23 Integrated circuits—MOS memory technology
机译:
专场23集成电路— MOS存储技术
作者:
Mohsen A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
17.
High power subnanosecond switch
机译:
大功率亚纳秒级开关
作者:
Grekhov I.V.
;
Kardo-Sysoev A.F.
;
Kostina L.S.
;
Shenderey S.V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
18.
Progress in conducting polymers: Studies of polyacetylene
机译:
导电聚合物的进展:聚乙炔的研究
作者:
Heeger A.J.
;
MacDiarmid A.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
19.
Self-aligned npn bipolar transistors
机译:
自对准NPN双极晶体管
作者:
Ning T.H.
;
Isaac R.D.
;
Solomon P.M.
;
Tang D.D.
;
Yu H.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
20.
Electrically alterable programmable logic array (EAPLA)
机译:
电气可变可编程逻辑阵列(EAPLA)
作者:
Hsieh Y.N.
;
Wood R.A.
;
Wang P.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
21.
High performance 1.3 µm InGaAsP edge-emitting LEDs
机译:
高性能1.3 µm InGaAsP边缘发射LED
作者:
Olsen G.H.
;
Hawrylo F.Z.
;
Channin D.J.
;
Botez D.
;
Ettenberg M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
22.
Application of polycrystalline silicon load for high performance bipolar memory
机译:
多晶硅负载在高性能双极性存储器中的应用
作者:
Miyamoto J.
;
Shinada K.
;
Shinozaki S.
;
Sekiguchi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
23.
High voltage, high current lateral devices
机译:
高电压,大电流横向设备
作者:
Vaes H.M.J.
;
Appels J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
24.
Laser programmed vias for restructurable VLSI
机译:
激光编程过孔,用于可重构VLSI
作者:
Raffel J.I.
;
Naiman M.L.
;
Burke R.L.
;
Chapman G.H.
;
Gottschalk P.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
25.
Recent developments in thermophotovoltaic conversion
机译:
热光电转换的最新进展
作者:
Swanson R.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
26.
Verification of heavy doping parameters in semiconductor device modeling
机译:
验证半导体器件建模中的重掺杂参数
作者:
Gaur S.P.
;
Srinivasan G.R.
;
Antipov I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
27.
Dry etching technology for 1 µm VLSI fabrication
机译:
1 µm VLSI制造的干法蚀刻技术
作者:
Hirata K.
;
Ozaki Y.
;
Oda M.
;
Kimizuka M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
28.
Fabrication and performance of InP MISFET
机译:
InP MISFET的制造和性能
作者:
Kawakami T.
;
Okamura M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
29.
Thermal and mechanical effects on gyrotron gun anode electrical performance
机译:
热力和机械效应对旋流电子枪阳极电性能的影响
作者:
Caplan M.
;
Dimas D.J.
;
Tancredi J.J.
;
Birnbaum D.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
30.
Characterization of two step impact ionization and its influence in NMOS and PMOS VLSI's
机译:
两步碰撞电离的表征及其对NMOS和PMOS VLSI的影响
作者:
Matsunaga J.
;
Momose H.
;
Iizuka H.
;
Kohyama S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
31.
Functional integration of power MOS and bipolar devices
机译:
功率MOS和双极型器件的功能集成
作者:
Tihanyi J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
32.
Comparison of bulk silicon and SOS for VLSI CMOS
机译:
VLSI CMOS的体硅和SOS的比较
作者:
Aitken A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
33.
Elimination of latch up in bulk CMOS
机译:
消除了批量CMOS中的闩锁
作者:
Payne R.S.
;
Grant W.N.
;
Bertram W.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
34.
Parasitic capacitance influence in micron and submicron CMOS/SOS
机译:
微米和亚微米CMOS / SOS中的寄生电容影响
作者:
Pattanayak D.N.
;
Poksheva J.G.
;
Beguwala M.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
35.
Refractory metal silicide/N+ polysilicon in CMOS/SOS
机译:
CMOS / SOS中的难熔金属硅化物/ N +多晶硅
作者:
Leung B.C.
;
Maa J.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
36.
Two dimensional nature of diffused line capacitance in coplanar MOS structures
机译:
共面MOS结构中扩散线电容的二维性质。
作者:
Iwai H.
;
Taniguchi K.
;
Konaka M.
;
Maeda S.
;
Nishi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
37.
Transverse modal behavior of transverse junction stripe laser excited by short electrical pulse
机译:
短电脉冲激发的横向结条纹激光器的横向模态行为
作者:
Lau K.Y.
;
Yariv A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
38.
Steering of high frequency low level photocurrents between summing busses beyond the g
m
/2πC limit
机译:
超过g
m inf> /2πC限制的求和母线之间的高频低电平光电流转向
作者:
Bluzer N.
;
Kub F.
;
Borsuk G.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
39.
200 kW pulsed and CW gyrotrons at 28 GHz
机译:
28 GHz时200 kW脉冲和CW旋流器
作者:
Jory H.
;
Evans S.
;
Moran J.
;
Shively J.
;
Stone D.
;
Thomas G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
40.
Modeling and VLSI design constraints of substrate current
机译:
基板电流的建模和VLSI设计约束
作者:
Sing Y.W.
;
Sudlow B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
41.
Two-dimensional integrated circuit process modeling program - RECIPE
机译:
二维集成电路工艺建模程序-RECIPE
作者:
Smith G.E.
;
Steckl A.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
42.
An MOS chip for surface impedance measurement and moisture monitoring
机译:
用于表面阻抗测量和湿度监测的MOS芯片
作者:
Garverick S.L.
;
Senturia S.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
43.
Subsurface junction field effect transistor (SJFET)
机译:
地下结场效应晶体管(SJFET)
作者:
Malhi S.D.S.
;
Salama C.A.T.
;
Donnison W.
;
Barber H.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
44.
High frequency performance of VDMOS power transistors
机译:
VDMOS功率晶体管的高频性能
作者:
Mena J.
;
McGregor P.
;
Salama C.A.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
45.
High performance low noise FETs operating from X-band through Ka-band
机译:
从X波段到Ka波段运行的高性能低噪声FET
作者:
Yamasaki H.
;
Keithley G.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
46.
Improvements in method and apparatus for determining minority carrier diffusion length
机译:
确定少数载流子扩散长度的方法和装置的改进
作者:
Goodman A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1980 International》
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