ばらつきを加速させたモンテカルロシミュレーションによるSRAM の書き込み限界推定

机译：通过蒙特卡罗模拟对SRAM的写极限进行估计，并具有可变性

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MOS トランジスタの微細化に伴い，しきい値電圧(Vth)のランダムなばらつきが増大し，多ビットのSRAM の安定動作が困難になっている．SRAM 設計においてVth のばらつきに対する動作限界を見極める手段として，モンテカルロシミュレーション(MCS)が有効であるが，シミュレーション回数が膨大になってしまうという欠点がある．筆者らはばらつきを加速することによって，従来より簡単にSRAM の書き込み限界を推定する方法を提案し，一部のしきい値条件に対してその有効性を示したが，今回さらに広い条件で本手法の有効性を検証したので報告する．

机译：MOS晶体管小型化的阈值电压（Vth）增加了多位SRAM的随机可变性操作困难。 SRAM设计中的Vth玫瑰蒙特卡尔（Montecal）作为确定粘着极限的一种手段 B模拟（MCS）有效，但模拟缺点是次数很多。作者通过加速可变性比以往任何时候都更容易我们提出了一种估计SRAM写入限制的方法，其中一些方法我们已经展示了其在阈值条件下的有效性，但是这次更多我们报告了这种方法在各种条件下的有效性。

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《電子情報通信学会;電子情報通信学会総合大会》|2019年|47|共1页
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武村健太; 上村貴史; 牧野博之;
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