clock and data recovery circuits; clocks; CMOS integrated circuits; integrated circuit design; interpolation; jitter;
机译:12 GB / s 1.59 MW / GB / S输入数据 - 夹具耐用注射型CDR,具有超级谐波注射锁定在65纳米CMOS中
机译:具有28nm CMOS的12 Gb / s 0.9 mW / Gb / s宽带注入型CDR,具有无参考频率捕获
机译:低功率和宽调谐范围环振荡器双控制电压延迟电池的设计与分析65架CDM CMOS技术CDR应用
机译:具有锁定探测器的1.25-8.5 Gb / s宽范围CDR,采用40 nm CMOS技术
机译:具有LC延迟线VCO的10 Gb / s CDR / DEMUX,位于0.18微米CMOS中。
机译:宽范围检测器等离子体诱导高级CMOS BEOL工艺的充电效果
机译:13.7采用0.18µm CMOS技术的40Gb / s时钟和数据恢复电路