Heating systems; Fluctuations; Films; Maintenance engineering; Silicon; Epitaxial growth; Inductors;
机译:烟囱CVD反应器中4H-SiC外延期间的氮掺入
机译:结合升华外延和CVD制备的4H-SiC p-i-n二极管
机译:CVD和升华外延生长4H-SiC的载流子寿命研究
机译:在4H-SiC外延中掺杂V和Ti以减少载流子寿命
机译:CVD反应器中硅外延和粒子动力学的理论/实验研究
机译:外延过程中将原位氮掺入4H-SiC的新模型
机译:CVD反应器副产物对4H-SIC外延的影响和抑制有害影响
机译:CVD反应器中化学和传输现象的详细建模。应用于钨LpCVD(Gedetailleerde modellering van Chemie en Transportverschijnselen in CVD Reactoren。Toepassing op Wolfraam LpCVD)