招待講演ノーマリーオフ動作のための強誘電体Hf0_2を集積した不揮発性SRAM

摘要

lμW級の低消費電力性能が求められるIoTデバイスにおいては，待機時にはほぼすベてのモジュール の電源を切り待機時のリーク電力を削減する必要がある.そのためには電源を切る前の状態を保持し電源投入後す ぐに前の状態に復帰できるノーマリーオフコンピューティング技術が重要となる.本研究では，高速でかつ低電圧·低消費電力動作が期待される不揮発性SRAMに注目し，CMOSと整合性の高い強誘愈体HfO_2キャパシタを集積し た不揮発性SRAMを試作.実証した.9nmという極めて薄い強誘電体HfO_2薄膜での集積化技術によって，従来の 強誘電体で問題となっていた不揮発性SRAMの微細化の問題を解決できる可能性が示唆された.