電圧比調整技術を用いた3.2ppm/°C二次温度補償CMOSオンチップ発振器

摘要

Local Interconnection Network(LIN)に適用可能なCMOSオンチップ発振器(OCO)を提案する。電圧比調 整(VRA)技術によって出力周波数の温度依存性は補正される。周波数の電源電圧依存性は幅広い入力範囲1.8Vから 5.0Vを電圧レギュレータによって減少される。パッケージストレスによる周波数変動は抵抗の配置位置の工夫によ り最小化される。測定では、温度-40°Cから150°Cの範囲で温度依存性がパッケージストレスを除いた場合で 3.2ppm/°C,パッケージストレスを含めた場合で14.2ppm/°Cであった。また電圧依存性は±0.015%以内である。