招待講演A Cross Point Cu-ReRAM with a Novel OTS Selector for Storage Class Memory Applications

摘要

本講演では2017 Symposium on VLSI Technologyで発表したストレージクラスメモリ応用に向けたクロ スポイント型のCu-ReRAM技術について紹介する.100 nsの書き換え速度，10M回の書き換え回数を持つ100 Gb クラスのストレージクラスメモリの実用化に向けて2つの重要技術を開発した.1つ目はReRAMの抵抗分布改善 技術で，メモリ層中にバリア層を挿入することで実現した.2つ目はセレクタと呼ばれる双方向選択素子に関する 技術であり，大規模クロスポイントアレイを作製するのに必要なオフリーク特性，閾電圧ばらつき，スイッチング 可能回数をホウ素と炭素を添加したOvonic Threshold Switch (OTS)によって実現した.