chemical mechanical polishing; copper; dielectric thin films; electroplating; etching; integrated circuit interconnections; permittivity; porosity; porous materials; silicon compounds; surface cleaning; surfactants; 45 to 32 nm; Cu-SiO/sub 2/; TMCTS process recovery t;
机译:有效的铜表面预处理,用于具有高耐等离子体性的超低介电常数(k = 2.2)的高可靠性22 nm节点铜双镶嵌互连
机译:致孔剂基低k膜工艺条件的变化:一种改进性能的方法,而无需更改亚100 nm以下铜镶嵌集成工艺中的现有工艺步骤
机译:铜双大马士革互连在低k多孔膜上的直接化学机械抛光工艺
机译:使用自组装多孔二氧化硅超低K薄膜45-32 nm技术节点的杂交低k / cu双镶嵌工艺
机译:电迁移增强了无铅焊点中铜-锡金属间化合物的动力学,并使用分步和闪光压印光刻技术进行了铜低k双大马士革工艺。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:水基单晶硅Cu / Low-k清洗工艺表征与双镶嵌工艺流程的集成