机译:致孔剂基低k膜工艺条件的变化:一种改进性能的方法,而无需更改亚100 nm以下铜镶嵌集成工艺中的现有工艺步骤
ASM Belgium, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
ASM Belgium, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
ASM Belgium, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
ASM Japan, 23-1, 6-chome Nagayama, Tama-shi, Tokyo, Japan;
ASM Japan, 23-1, 6-chome Nagayama, Tama-shi, Tokyo, Japan;
ASM Japan, 23-1, 6-chome Nagayama, Tama-shi, Tokyo, Japan;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
low-k; porogen; cure time; process variation; anneal; capping layer;
机译:基于水的单晶片Cu / Low-k清洗工艺表征并集成到双镶嵌工艺流程中
机译:在低k有机膜中量身定制的通孔形状控制的铜双大马士革互连的工艺设计方法
机译:在低k有机膜上定制的通过形状控制,Cu双镶嵌互连的过程设计方法
机译:使用自组装多孔二氧化硅超低k膜的45-32 nm技术节点的混合低k / Cu双镶嵌工艺
机译:并五苯晶体取向的技巧,以提高溶液处理的有机薄膜晶体管的性能。
机译:水基单晶硅Cu / Low-k清洗工艺表征与双镶嵌工艺流程的集成
机译:研究和开发在政府内部机构内部和之间实现和维持共识进程的方法和工具:第一次年度绩效报告:研究状况,1988年10月至1989年9月。