Integrated antennas on Si, proton-implanted Si and Si-on-quartz

机译：硅，质子注入硅和石英硅上的集成天线

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High performance antennas have been realized on proton-implanted Si with 10/sup 6/ /spl Omega/-cm resistivity. Sharp antenna resonance and low loss up to 20 GHz are observed indicating excellent antenna quality. In contrast, very poor antenna characteristics are found on conventional oxide-isolated Si because of the lossy substrate.

机译：在质子注入的硅上已经实现了具有10 / sup 6 / splΩ/ cm电阻率的高性能天线。观察到尖锐的天线谐振和高达20 GHz的低损耗，表明天线质量出色。相反，由于有损耗的衬底，在常规的氧化物隔离的Si上发现非常差的天线特性。

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来源
《Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International》|2001年|P.40.6.1-40.6.4|共4页
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作者
Chan K.T.; Chin A.; Chen Y.B.; Lin Y.-D.; Duh T.S.; Lin W.J.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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