机译:采用180 nm SOI CMOS技术的5 GHz 0.95 dB NF高度线性共源共栅浮体LNA
机译:栅极到本体隧穿电流的物理模型及其对浮体PD / SOI CMOS器件和电路的影响
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:高度稳定的SOI技术可抑制高性能CMOS器件的浮体效应
机译:缩放SOI / CMOS技术应用下非识别和动态浮体效果的分析与建模
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:BEOL对SOI180,SOI90和CMOS180,CMOS90技术的影响对IC性能影响
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能