机译:关于InP衬底上In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结FET中的肖特基势垒栅二极管的非理想特性
机译:使用PdAl作为金属化的n-(In_0.52Al_0.48)接触的肖特基增强
机译:湿法表面清洁和原位中间层对In_(0.52)Al_(0.48)As金属氧化物半导体特性的影响
机译:肖特基二极管特性的金属in / sub 0.52 / Al / sub 0.48 /用原位光化学蚀刻和表面钝化过程的接触
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:模板辅助离子束刻蚀的垂直自由定序Pb(Zr0.52Ti0.48)O3纳米杯阵列
机译:pdal肖特基与金属有机化学气相沉积法生长的In0.52al0.48as接触
机译:具有Er掺杂In(0.52)al(0.48)作为缓冲层的0.1微米栅极In(0.3)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp mODFET的背栅特性