Performance evaluation; Silicon compounds; Three-dimensional displays; Logic gates; Electric variables; FinFETs; Silicon;
机译:具有碲离子注入和隔离的硅碳源/漏和铂基硅化物触点可降低应变n-FinFET的接触电阻
机译:具有In1?xGaxAs通道盖层的14nm栅极III-V三栅极三极场效应晶体管器件的仿真研究
机译:具有超薄硅通道的35 nm完全耗尽绝缘体上硅器件中衬套效应的力学和电学分析
机译:用应变通道减少面积的3D Trige Hoi Finfet的性能估算与分析
机译:应变硅锗沟道PMOSFET的开发可集成到现有的硅锗HBT技术中。
机译:三重热氧化和硅玻璃阳极键合制备和表征亚100/10 nm平面纳米流体通道
机译:具有In1-xGaxas沟道覆盖层的14nm栅极III-V三栅极场效应晶体管器件的仿真研究
机译:硅芯片上紧凑型硅氮氧化物波导的制备与表征。