MOCVD; Photonic band gap; Photovoltaic cells; Metals; Junctions; Molecular beam epitaxial growth; Gallium arsenide;
机译:通过结合MBE-MOCVD技术生长的高效GaInP / GaAs / GaInNAs太阳能电池
机译:MOVPE在Ge上生长的1.6 / 1.1 eV变质GaInP / GaInAs太阳能电池
机译:通过MOCVD技术生长的GaN外延层的表面研究和光致发光,用于太阳能电池和发光器件
机译:MBE和MBE和MoCVD生长2.05 eVAlAlaInP和变质增益材料和太阳能电池的比较研究
机译:MBE和MOCVD制备的用于多结太阳能电池的氮化铟镓砷的深层瞬态光谱研究。
机译:全固态分子束外延生长的高效GaAs和GaInP太阳能电池
机译:III-V族化合物GaAs和GaInP2的太阳能电池:基础材料研究,电池结构和环境问题
机译:具有低应力变质底部结的倒置GaInp /(In)Gaas / InGaas三结太阳能电池:预印