机译:平面InGaAs-InP雪崩光电二极管中的浮动保护环抑制扩散结外围的雪崩倍增
机译:国家NanoFab中心制造的盖革模式雪崩光电二极管中保护环结构的优化
机译:具有Au / Zn低电阻欧姆接触的双浮动保护环型InP-InGaAs雪崩光电二极管的特性
机译:单独吸收 - 乘法硅雪崩光电二极管结构优化浮动环形参数
机译:新型半导体异质结构系统的研究:I.氧化铈/硅异质结构II。 6.1基于半导体的雪崩光电二极管。
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:优化FaspaX N-in-p硅传感器的浮动保护环设计