Double gate MOSFET; Undoped; Quantum mechanical; Inversion charge; Drain current;
机译:物理紧凑的直流漏极电流模型,用于具有独立栅极操作的长沟道非掺杂超薄体(UTB)SOI和不对称双栅极(DG)MOSFET
机译:未掺杂或轻掺杂的对称双栅MOSFET的电流-电压特性的分析模型
机译:为轻掺杂对称双栅极MOSFET的漏极电流及其方程参数建模
机译:用于薄体的漏极电流模型未掺杂和轻微掺杂的双栅MOSFET
机译:双栅极MOSFET的紧凑模型。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:未掺杂双栅极MOSFET的解析和显式电流模型
机译:用于VLsI(超大规模集成)mOsFET的改进的轻掺杂漏极结构